Hersteller Produktnummer:
NVMFS4C308NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFS4C308NT1G-DG
Beschreibung:
TRENCH 30V NCH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta), 55A (Tc) 3W (Ta), 30.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12979415
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NVMFS4C308NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.2A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1670 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 30.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS4C308NT1GDKR
488-NVMFS4C308NT1GTR
488-NVMFS4C308NT1GCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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