Hersteller Produktnummer:
NVD5890NLT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVD5890NLT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12848268
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NVD5890NLT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4760 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NVD589
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NVD5890NLT4G-DG
NVD5890NLT4G-VF01OSTR
NVD5890NLT4G-VF01OSDKR
NVD5890NLT4GOSTR
NVD5890NLT4G-VF01OSTR-DG
NVD5890NLT4GOSDKR
NVD5890NLT4G-VF01
NVD5890NLT4G-VF01OSDKR-DG
NVD5890NLT4G-VF01OSCT
NVD5890NLT4G-VF01-DG
NVD5890NLT4G-VF01OSCT-DG
NVD5890NLT4GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AUIRFR8403TRL
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2997
TEILNUMMER
AUIRFR8403TRL-DG
Einheitspreis
0.92
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