Hersteller Produktnummer:
NVD5865NLT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVD5865NLT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12845093
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NVD5865NLT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NVD586
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ONSONSNVD5865NLT4G
SVD5865NLT4GOSDKR
NVD5865NLT4GOSCT
SVD5865NLT4GOSTR
2156-NVD5865NLT4G-OS
NVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4GOSDKR-DG
NVD5865NLT4GOSDKR
SVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G-DG
SVD5865NLT4GOSCT
SVD5865NLT4GOSTR-DG
SVD5865NLT4GOSCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PJD40N06A-AU_L2_000A1
HERSTELLER
Panjit International Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
PJD40N06A-AU_L2_000A1-DG
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0.19
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