Hersteller Produktnummer:
NVD3055L170T4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVD3055L170T4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
Inventar:
12858679
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NVD3055L170T4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
275 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NVD3055
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NVD3055L170T4GOSDKR
NVD3055L170T4G-DG
NVD3055L170T4GOSTR
NVD3055L170T4GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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