Hersteller Produktnummer:
NVBG022N120M3S
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVBG022N120M3S-DG
Beschreibung:
SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
12991777
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NVBG022N120M3S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3200 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
234W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
NVBG022
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NVBG022N120M3STR
488-NVBG022N120M3SCT
488-NVBG022N120M3SDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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