Hersteller Produktnummer:
NVB5860NLT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVB5860NLT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 220A (Ta) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12859204
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NVB5860NLT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
220A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13216 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
283W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NVB586
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-NVB5860NLT4G-ONTR
ONSONSNVB5860NLT4G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB86566-F085
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
750
TEILNUMMER
FDB86566-F085-DG
Einheitspreis
1.76
ERSATZART
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