Hersteller Produktnummer:
NVB082N65S3F
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVB082N65S3F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12855953
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NVB082N65S3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® III, FRFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3410 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NVB082
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
NVB082N65S3FOSDKR
NVB082N65S3FOSCT
NVB082N65S3F-DG
NVB082N65S3FOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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