Hersteller Produktnummer:
NTTS2P03R2
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTTS2P03R2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Inventar:
12842345
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NTTS2P03R2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.48A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500 pF @ 24 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Basis-Produktnummer
NTTS2P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
NTTS2P03R2OS
2156-NTTS2P03R2-ONTR
ONSONSNTTS2P03R2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF7606TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
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8585
TEILNUMMER
IRF7606TRPBF-DG
Einheitspreis
0.23
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