NTTFS4H07NTWG

Hersteller Produktnummer:

NTTFS4H07NTWG

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTTFS4H07NTWG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 25 V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Inventar:

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NTTFS4H07NTWG Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

25 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

18.5A (Ta), 66A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

771 pF @ 12 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.64W (Ta), 33.8W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Koffer

8-PowerWDFN

Basis-Produktnummer

NTTFS4

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTTFS4H07NTWG-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

5,000

Andere Namen

ONSONSNTTFS4H07NTWG

2156-NTTFS4H07NTWG-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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