Hersteller Produktnummer:
NTR5198NLT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTR5198NLT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
92274 Stück Neu Original Auf Lager
12840416
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NTR5198NLT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
182 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
NTR5198
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTR5198NLT1G-OS
ONSNTR5198NLT1G
NTR5198NLT1GOSTR
NTR5198NLT1GOSDKR
NTR5198NLT1GOSCT
2832-NTR5198NLT1GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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