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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NTP5863NG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP5863NG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12845131
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NTP5863NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP586
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTP5863NG
HTML-Datenblatt
NTP5863NG-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT6005LCT
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMT6005LCT-DG
Einheitspreis
1.26
ERSATZART
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