Hersteller Produktnummer:
NTP190N65S3HF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP190N65S3HF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
12857507
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NTP190N65S3HF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
FRFET®, SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 430µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1610 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
162W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTHL190N65S3HF
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
278
TEILNUMMER
NTHL190N65S3HF-DG
Einheitspreis
2.77
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
SIHP22N60EL-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHP22N60EL-GE3-DG
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1.92
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