Hersteller Produktnummer:
NTP067N65S3H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP067N65S3H-DG
Beschreibung:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
369 Stück Neu Original Auf Lager
12950502
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NTP067N65S3H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 3.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3750 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
266W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
488-NTP067N65S3H
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTH4LN067N65S3H
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
361
TEILNUMMER
NTH4LN067N65S3H-DG
Einheitspreis
4.45
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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