NTP055N65S3H
Hersteller Produktnummer:

NTP055N65S3H

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTP055N65S3H-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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NTP055N65S3H Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4.8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4305 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
305W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP055

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NTP055N65S3H
HTML-Datenblatt
NTP055N65S3H-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NTP055N65S3H

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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