Hersteller Produktnummer:
NTMSD2P102R2
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMSD2P102R2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12847805
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Menge
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NTMSD2P102R2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
750 pF @ 16 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
NTMSD2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ONSONSNTMSD2P102R2
2156-NTMSD2P102R2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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