NTMS4700NR2G

Hersteller Produktnummer:

NTMS4700NR2G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMS4700NR2G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

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12857765

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NTMS4700NR2G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

8.6A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1600 pF @ 24 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

860mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-SOIC

Paket / Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis-Produktnummer

NTMS47

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTMS4700NR2G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

NTMS4700NR2GOS

ONSONSNTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G-ONTR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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