NTMJS2D5N06CLTWG
Hersteller Produktnummer:

NTMJS2D5N06CLTWG

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMJS2D5N06CLTWG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 3.9A (Ta), 113A (Tc) 3.9W (Ta), 113A (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Inventar:

12856806
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NTMJS2D5N06CLTWG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.9A (Ta), 113A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 135µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.9W (Ta), 113A (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-LFPAK
Paket / Koffer
SOT-1205, 8-LFPAK56
Basis-Produktnummer
NTMJS2

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NTMJS2D5N06CLTWGDKR
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
488-NTMJS2D5N06CLTWGCT
488-NTMJS2D5N06CLTWGTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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