NTMFS6H852NT1G
Hersteller Produktnummer:

NTMFS6H852NT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMFS6H852NT1G-DG

Beschreibung:

TRENCH 8 80V NFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventar:

12979198
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NTMFS6H852NT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 45µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NTMFS6H852NT1GTR
488-NTMFS6H852NT1GCT
488-NTMFS6H852NT1GDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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