Hersteller Produktnummer:
NTMFS6H818NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMFS6H818NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
1500 Stück Neu Original Auf Lager
12938937
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTMFS6H818NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 190µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NTMFS6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
NTMFS6H818NT1GOSDKR
NTMFS6H818NT1GOSTR
NTMFS6H818NT1G-DG
NTMFS6H818NT1GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTMFS4926NET1G
MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
NTMFS5H600NLT1G
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
