Hersteller Produktnummer:
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMFS5H600NLT1G-IRH1-DG
Beschreibung:
T8 60V LOW COSS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 3.3W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12979543
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NTMFS5H600NLT1G-IRH1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta), 250A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6680 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1DKR
488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1TR
488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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