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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NTMFS4C35NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMFS4C35NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
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NTMFS4C35NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780mW (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NTMFS4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTMFS4C35NT1G
HTML-Datenblatt
NTMFS4C35NT1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
NTMFS4C35NT1G-DG
2832-NTMFS4C35NT1GTR
NTMFS4C35NT1GOSCT
NTMFS4C35NT1GOSDKR
2832-NTMFS4C35NT1G-488
NTMFS4C35NT1GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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