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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NTMD5836NLR2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMD5836NLR2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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NTMD5836NLR2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A, 5.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2120pF @ 20V
Leistung - Max
1.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NTMD58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTMD5836NLR2G
HTML-Datenblatt
NTMD5836NLR2G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-NTMD5836NLR2G-ONTR-DG
2156-NTMD5836NLR2G
ONSONSNTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2GOSCT
NTMD5836NLR2G-DG
NTMD5836NLR2GOSTR
NTMD5836NLR2GOSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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