Hersteller Produktnummer:
NTLJF4156NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTLJF4156NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventar:
28406 Stück Neu Original Auf Lager
12857714
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NTLJF4156NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
427 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
710mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-WDFN (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
NTLJF4156
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
=NTLJF4156NT1GOSCT-DG
NTLJF4156NT1GOSDKR
NTLJF4156NT1GOSCT
ONSONSNTLJF4156NT1G
2156-NTLJF4156NT1G-OS
NTLJF4156NT1GOSTR
NTLJF4156NT1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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