Hersteller Produktnummer:
NTJS3151PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTJS3151PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
10336 Stück Neu Original Auf Lager
12842567
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NTJS3151PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
NTJS3151
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151PT1GOSTR
2156-NTJS3151PT1G-488
NTJS3151PT1GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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