Hersteller Produktnummer:
NTHS5441T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHS5441T1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12860941
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Menge
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NTHS5441T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
NTHS5441
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NTHS5441T1GDKR
NTHS5441T1GOSTR
NTHS5441T1GOSTR-DG
ONSONSNTHS5441T1G
NTHS5441T1GOS-DG
2156-NTHS5441T1G-OS
NTHS5441T1GOS
NTHS5441T1GOSCT-DG
488-NTHS5441T1GCT
488-NTHS5441T1GTR
=NTHS5441T1GOSCT-DG
NTHS5441T1GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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