Hersteller Produktnummer:
NTHS5402T1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHS5402T1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12857138
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NTHS5402T1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
NTHS54
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTHS5402T1
ONSONSNTHS5402T1
NTHS5402T1OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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