Hersteller Produktnummer:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHL022N120M3S-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
187 Stück Neu Original Auf Lager
13376046
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NTHL022N120M3S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3130 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
352W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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