Hersteller Produktnummer:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTH4L045N065SC1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
484 Stück Neu Original Auf Lager
12964310
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NTH4L045N065SC1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4L
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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