Hersteller Produktnummer:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTGD4167CT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
928248 Stück Neu Original Auf Lager
12857549
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NTGD4167CT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
295pF @ 15V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
NTGD4167
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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