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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NTGD3147FT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTGD3147FT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
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NTGD3147FT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
NTGD31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTGD3147FT1G
HTML-Datenblatt
NTGD3147FT1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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