NTD80N02G
Hersteller Produktnummer:

NTD80N02G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD80N02G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 24 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

12857791
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

NTD80N02G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
24 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NTD80

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NVMFS5C442NWFAFT3G

MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN

renesas-electronics-america

2SK1339-E

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

onsemi

NDS9430

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

onsemi

NVMFS6B85NLT3G

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN