Hersteller Produktnummer:
NTD6416ANL-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD6416ANL-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12855881
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NTD6416ANL-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NTD64
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
NTD6416ANL-1G-DG
NTD6416ANL-1GOS
ONSONSNTD6416ANL-1G
2156-NTD6416ANL-1G-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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