NTD4909N-35G

Hersteller Produktnummer:

NTD4909N-35G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTD4909N-35G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

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12840497

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NTD4909N-35G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1314 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

IPAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Basis-Produktnummer

NTD49

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NTD4909N-35G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

75

Andere Namen

ONSONSNTD4909N-35G

2156-NTD4909N-35G-ON

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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