Hersteller Produktnummer:
NTBS2D7N06M7
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTBS2D7N06M7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
1208 Stück Neu Original Auf Lager
12841784
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NTBS2D7N06M7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6655 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
176W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NTBS2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
NTBS2D7N06M7OSCT
NTBS2D7N06M7OSTR
NTBS2D7N06M7-DG
NTBS2D7N06M7OSDKR
2832-NTBS2D7N06M7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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