NSVMMUN2114LT3G
Hersteller Produktnummer:

NSVMMUN2114LT3G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSVMMUN2114LT3G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

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NSVMMUN2114LT3G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
246 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
NSVMMUN2114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NSVMMUN2114LT3G
HTML-Datenblatt
NSVMMUN2114LT3G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
2832-NSVMMUN2114LT3G-488
2832-NSVMMUN2114LT3GTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTA114YT,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2738
TEILNUMMER
PDTA114YT,215-DG
Einheitspreis
0.01
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