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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NSS60101DMTTBG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSS60101DMTTBG-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventar:
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NSS60101DMTTBG Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
180mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
2.27W
Frequenz - Übergang
180MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
6-WDFN (2x2)
Basis-Produktnummer
NSS60101
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NSS60101DMTTBG
HTML-Datenblatt
NSS60101DMTTBG-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NSS60101DMTTBGOSTR
NSS60101DMTTBG-DG
NSS60101DMTTBGOSCT
NSS60101DMTTBGOSDKR
2156-NSS60101DMTTBG-OS
ONSONSNSS60101DMTTBG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PBSS4160PAN,115
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
22598
TEILNUMMER
PBSS4160PAN,115-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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