Hersteller Produktnummer:
NSS35200CF8T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSS35200CF8T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12844280
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NSS35200CF8T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
35 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 2V
Leistung - Max
635 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NSS35200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-NSS35200CF8T1GTR
NSS35200CF8T1G-DG
NSS35200CF8T1GOSTR
ONSONSNSS35200CF8T1G
2156-NSS35200CF8T1G-OS
NSS35200CF8T1GOSDKR
NSS35200CF8T1GOSCT
2832-NSS35200CF8T1G-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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