Hersteller Produktnummer:
NSS20101JT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSS20101JT1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 1 A 350MHz 300 mW Surface Mount SC-89-3
Inventar:
19804 Stück Neu Original Auf Lager
12842466
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NSS20101JT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
300 mW
Frequenz - Übergang
350MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Basis-Produktnummer
NSS20101
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-NSS20101JT1GTR
2156-NSS20101JT1G-OS
NSS20101JT1GOSDKR
ONSONSNSS20101JT1G
NSS20101JT1G-DG
NSS20101JT1GOSTR
NSS20101JT1GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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