Hersteller Produktnummer:
NSS12600CF8T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSS12600CF8T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 5 A 100MHz 830 mW Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12844199
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NSS12600CF8T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
170mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
250 @ 1A, 2V
Leistung - Max
830 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NSS126
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NSS12600CF8T1G-ONTR-DG
ONSONSNSS12600CF8T1G
2156-NSS12600CF8T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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