Hersteller Produktnummer:
NSBC124EF3T5G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSBC124EF3T5G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Inventar:
4316 Stück Neu Original Auf Lager
12858481
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NSBC124EF3T5G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
254 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-1123
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-1123
Basis-Produktnummer
NSBC124
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
NSBC124EF3T5GCT
2832-NSBC124EF3T5GTR
NSBC124EF3T5GDKR
2156-NSBC124EF3T5G-OS
NSBC124EF3T5G-DG
ONSONSNSBC124EF3T5G
NSBC124EF3T5GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN1103MFV,L3F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
254
TEILNUMMER
RN1103MFV,L3F-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
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