NSBA124EF3T5G
Hersteller Produktnummer:

NSBA124EF3T5G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBA124EF3T5G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123

Inventar:

8000 Stück Neu Original Auf Lager
12917101
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NSBA124EF3T5G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
254 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-1123
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-1123
Basis-Produktnummer
NSBA124

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
NSBA124EF3T5G-DG
488-NSBA124EF3T5GTR
ONSONSNSBA124EF3T5G
488-NSBA124EF3T5GCT
488-NSBA124EF3T5GDKR
2832-NSBA124EF3T5G
2156-NSBA124EF3T5G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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