Hersteller Produktnummer:
NJVMJD31CT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NJVMJD31CT4G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Inventar:
12842524
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Menge
Mindestens 1
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TBD3
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NJVMJD31CT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Leistung - Max
1.56 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
NJVMJD31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSCT
ONSONSNJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4GOSDKR
2156-NJVMJD31CT4G-OS
NJVMJD31CT4G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD31CUQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2480
TEILNUMMER
MJD31CUQ-13-DG
Einheitspreis
0.20
ERSATZART
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