Hersteller Produktnummer:
NJVMJD3055T4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NJVMJD3055T4G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventar:
4619 Stück Neu Original Auf Lager
12857776
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NJVMJD3055T4G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
2MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
NJVMJD3055
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NJVMJD3055T4G-DG
NJVMJD3055T4GOSDKR
NJVMJD3055T4GOSTR
NJVMJD3055T4GOSCT
2832-NJVMJD3055T4GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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