Hersteller Produktnummer:
NJVBDX53C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NJVBDX53C-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220
Inventar:
12859596
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Menge
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NJVBDX53C Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 12mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Leistung - Max
65 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
NJVBDX5
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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