Hersteller Produktnummer:
NDS8852H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDS8852H-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12859922
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Menge
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NDS8852H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300pF @ 15V
Leistung - Max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NDS885
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NDS8852HCT
NDS8852HTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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