NDPL180N10BG
Hersteller Produktnummer:

NDPL180N10BG

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NDPL180N10BG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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NDPL180N10BG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6950 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NDPL18

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
TK100E08N1,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
57
TEILNUMMER
TK100E08N1,S1X-DG
Einheitspreis
1.64
ERSATZART
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Teilenummer
STP315N10F7
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2.50
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