Hersteller Produktnummer:
NDDL01N60Z-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDDL01N60Z-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 800mA (Ta) 26W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12856117
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NDDL01N60Z-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
92 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NDDL0
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-NDDL01N60Z-1G-ON
ONSONSNDDL01N60Z-1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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