Hersteller Produktnummer:
NDD60N900U1T4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDD60N900U1T4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12856857
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NDD60N900U1T4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NDD60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ONSONSNDD60N900U1T4G
2156-NDD60N900U1T4G-ONTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPD06N80C3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SPD06N80C3ATMA1-DG
Einheitspreis
0.78
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