NDD60N745U1-1G

Hersteller Produktnummer:

NDD60N745U1-1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NDD60N745U1-1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 600 V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

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NDD60N745U1-1G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

600 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

6.6A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

745mOhm @ 3.25A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

440 pF @ 50 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

84W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

IPAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

NDD60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NDD60N745U1-1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

75

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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