NDB6030PL

Hersteller Produktnummer:

NDB6030PL

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NDB6030PL-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 30 V 30A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12857734

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

NDB6030PL Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 19A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

36 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1570 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

TO-263 (D2PAK)

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer

NDB603

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

800

Andere Namen

NDB6030PLFSDKR

NDB6030PLFSCT

NDB6030PL-DG

NDB6030PLFSTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

onsemi

NTMFS4897NFT3G

MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN

onsemi

NTGS3130NT1G

MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP

onsemi

NTD4858NA-1G

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

onsemi

NTS4409NT1G

MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3